Научный руководитель:
доктор физико-математических наук
Виталий Васильевич Козловский
Направления деятельности
Основные работы группы посвящены вопросам радиационной физики полупроводников. Руководителем группы создано новое направление — радиационное модифицирование полупроводниковых материалов под действием заряженных частиц. За последние десять лет группой совместно с сотрудниками ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН выполнен большой цикл экспериментальных исследований трех направлений радиационного модифицирования полупроводниковых материалов с использованием заряженных частиц (радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и трансмутационное легирование) и разработаны теоретические модели ряда радиационно-стимулированных эффектов. Этот цикл исследований получил широкое признание и был опубликован в монографиях, вышедших на русском и английском языках.
Научные достижения последних лет
Основным практическим результатом работ группы является разработка новых способов радиационного легирования материалов, обоснование перспектив их применения для серийного изготовления и улучшения характеристик высоковольтных, СВЧ и оптоэлектронных приборов.
Научный приоритет подтвержден высоким индексом цитирования (РИНЦ более 600 ссылок), получением за последние годы ряда российских грантов и защитой нескольких диссертаций, последние из которых:
- Емцев К.В. Особенности процессов образования радиационных дефектов в полупроводниковых материалах IV группы и нитридах III группы с мелкими примесями. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук. СПбГПУ, 2007.
- Якименко А.Н. Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук. СПбГПУ, 2012.
Публикации
- В.В.Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Санкт-Петербург, «Наука», 2003. 268 с.
- V.Kozlovski, V.Abrosimova. Radiation Defect Engineering. «World Scientific», 2005. 253 p.