Дмитрий Николаевич Наследов

Дмитрий Николаевич Наследов

Дмитрий Николаевич Наследов родился 12 августа 1903 г. в Киеве. Его родители – Николай Алексеевич, мещанин по происхождению, и Наталья Николаевна (в девичестве Каменская), дворянка – были родом из Ростова-на-Дону. В Киев они перебрались в1895 г. после того как Николай Алексеевич за участие в революционных кружках в 1894 г. был выслан жандармерией за пределы Донской области. Николай Алексеевич работал корректором в типографиях Киева и Ленинграда, а Наталья Николаевна, будучи домохозяйкой, иногда давала уроки музыки. Оба они умерли в 1942 году в блокадном Ленинграде. Учился Дмитрий Наследов в Киевской гимназии Общества родителей и преподавателей, которую закончил (7 классов) в 1920 г. В 1920-1921 гг. он служил в Батальоне Связи Киевского Укрепленного района, откуда в 1921 г. был командирован на учебу в ВУЗ. В 1921 г. Дмитрий Николаевич поступил в Киевский Политехнический институт на химический факультет. Однако из-за большой тяги к физико-математическим наукам перевелся в Киевский институт народного образования (бывший университет) на физическое отделение физико-математического факультета.

Уже на последнем курсе он начал заниматься научно-исследовательской работой под руководством профессоров Г.Г. де-Метца и Л.О. Кордыша. И до окончания института он успел выполнить две самостоятельные научные работы: «Попытка объяснения природы земного магнетизма», «Квантовая теория нормального фотоэффекта». Вторая работа, подготовленная на немецком языке, была опубликована в журнале Physikalische Zeitschift. В 1924 г. Дмитрий Николаевич окончил институт по специальности преподавателя физико-математических наук. С 1 февраля 1925 г. он начал работать в Киевском Рентгеновском институте, где последовательно занимал должности рентгенофизика физического отдела, старшего физика (1927), заведующего лабораторией дозиметрии рентгеновских лучей (1928-1930), в 1929-1930 гг. был ученым секретарем института.

Педагогическая деятельность Дмитрия Наследова практически началась также в стенах Рентгеновского института. Здесь он читал в 1926-1928г.г. для сотрудников лекции по физике рентгеновских лучей и руководил аспирантами и преподавал (в 1929г.) электрофизику на курсах повышения врачей-физиотерапевтов. В это же время Д. Н. Наследов работает по совместительству в Украинской метеорологической службе ассистентом по изучению радиоактивности почв и вод Украины и Киева (до 1 февраля 1926г.). С октября 1927 г. Дмитрий Николаевич работает по совместительству сначала ассистентом, затем доцентом на кафедре физики Института народного образования, где проводит семинары (упражнения по решению задач) по теоретической и экспериментальной физике. В 1928 г. он избирается заместителем предметной физико-математической комиссии. В Рентгеновском институте Д. Н. Наследов выполнил 15 научных работ в области спектроскопии рентгеновских лучей, ионизации твердых диэлектриков рентгеновскими лучами, дозиметрии рентгеновских лучей и электропроводности твердых тел. Эти работы были напечатаны в советских и иностранных журналах, а также доложены на научных съездах физиков-рентгенологов. Летом 1930 г. в Одессе состоялся I Всесоюзный съезд физиков, на который съехались ученые из Москвы, Ленинграда и других городов страны, а также из-за рубежа. Группа молодых физиков из Киева не была случайным явлением. Обычно академик А. Ф. Иоффе использовал съезды для приглашения в свой институт талантливых ученых. Так, в частности после четвертого съезда русских физиков в Ленинграде (1924) он пригласил в Физтех бакинца К. Д. Синельникова, а через него и другого бакинца, еще одного ученика профессора С. Н. Усатога – И. В. Курчатова. И на этот раз А. Ф. Иоффе заранее послал в Киев Я. И. Френкеля и Н. Н. Семенова на «смотрины». Вот как об этом событии рассказывал в 1978 г. один из членов группы Анатолий Петрович Александров, академик , президент АН СССР: «…в Одессе проходил Всесоюзный съезд физиков. Вся наша группа, работавшая в Киевском рентгеновском институте, получила на него приглашение. В нее тогда входил профессор Киевского университета Д. Н. Наследов и два студента: В. М. Тучкевич (нынешний академик, директор ЛФТИ) и я. В Одессе мы подробно рассказали А. Ф. Иоффе о работах, проводимых нами». Сразу после съезда Абрам Федорович пригласил в Ленинград на работу в ФТИ четырех молодых физиков из Киева: Д. Н. Наследова, В. М. Тучкевича, А. П. Александрова и П. В. Шаравского. Здесь уместно привести известное в те годы в кругах физиков стихотворение: «не хватайте с неба звезд, не ищите мест: ведь физические съезды ярмарки невест…».

Д.Н. Наследов, Л.М. Неменов, Твердые выпрямители и фотоэлементы, 1933

С 15 сентября 1930 г. Дмитрий Николаевич одновременно работает старшим инженером-физиком в Физико-техническом институте и доцентом на кафедре физики физико-механического института. Приказом ВСНХ СССР от 25 апреля 1930 г. на базе Политехнического института были организованны отраслевые институты: Гидротехнический, Физико-механический, Котлотурбинный, Машиностроительный, Металлургический, Электромеханический, и Электросварочный. Постановлением Совнаркома СССР от 11 января 1934 г. отраслевые институты объединяются в единый Ленинградский индустриальный институт. И только 10 ноября 1940 г. Указом Президиума Верховного Совета СССР Индустриальному институту присвоено прежнее наименование «Ленинградский Политехнический институт имени М. И. Калинина». Не прошло и полугода, как Дмитрий Николаевич стал руководителем лаборатории физических явлений (с 13 февраля 1931 г.) и заместителем директора по научной части (с 1 июля 1931 г. по 1 мая 1932 г.) в ГТФИ, а также заведующим отделением общей физики (с 1 марта 1931 г.). С 1932 по 1934 г. – он уже заместитель заведующего кафедрой физики и начальник научно-исследовательского сектора Физико-механического института. В период с 1931 по 1932 г. Д. Н. Наследов выполняет большую организационную работу по использованию солнечной энергии в Средней Азии. В связи с этим он дважды откомандировался в Ташкент и Самарканд, где выполнял работу по созданию Гелиотехнического института. В результате в Самарканде был открыт Среднеазиатский гелиотехнический институт. В 1931-1932 гг. в Физико-техническом институте было создано новое направление – физика полупроводников, которыми занялись А. Ф. Иоффе, А. В. Иоффе, Д. Н. Наследов, П. В. Шаравский, В. П. Жузе, Ю. П. Маслаковец, В. Т. Коломиец и др. Д. Н. Наследов с сотрудниками начал изучать теплопроводность и фотопроводимость закиси меди – первого классического полупроводника, а также создавать и изучать фотоэлементы и выпрямители на его основе. Высокая оценка научной и педагогической деятельности Д. Н. Наследова в период с 1925 по 1935 г. содержится в отзывах член-корреспондента АН СССР Я. И. Френкеля от 16 июня 1933 г. и академика А. Ф. Иоффе от 1 сентября 1935 г., хранящихся в личном деле в архиве СПбГПУ. В 1934 г. постановлением Совета Народных Комиссаров СССР от 13 января были введены ученые степени и звания. В связи с этим научным сотрудникам и преподавателям высших учебных заведений, начали присуждать ученые степени и присваивать ученые звания. В 1935г. ЛФТИ представил Д. Н. Наследова к ученой степени кандидата физико-математических наук и к званию действительного члена ЛФТИ, а Ленинградский индустриальный институт – к ученому званию профессора без защиты докторской диссертации. Много сил и энергии отдавал Дмитрий Николаевич общественной работе. С 1931 по 1935 г. он – председатель секции научных работников ФТИ, с 1935 по 1937 г. – председатель месткома, секретарь Бюро Всесоюзной сквозной бригады по полупроводникам (председатель – академик А. Ф. Иоффе); уполномоченный по созыву Международной конференции по полупроводникам, которая состоялась в сентябре 1933г. Из Физико-технического института в 1937 г. Д. Н. Наследов ушел в НИИ №8 Наркомата оборонной промышленности, где руководил лабораторией №16 до 1939 г. В 1939 г. он перешел на основную работу в Военную электротехническую академию – заведующим кафедрой физики.

С этого времени он зачисляется в кадры Красной Армии. В ВЭТА Д. Н. Наследов продолжал заниматься той же проблемой, что и в ЛФТИ, только объектами внимания стали второй классический полупроводник – селен, селеновые фотоэлементы и выпрямители, а также таллофидные фотосопротивления. В 1940 г. Дмитрий Николаевич защищает докторскую диссертацию «Электрические свойства полупроводников». С 1941 г., находясь в эвакуации с ВЭТА в Томске, он интенсивно продолжает свои исследования. В результате в 1941-1946 гг. им совместно с сотрудниками было выполнено и опубликовано 17 научных работ. Можно без преувеличения сказать, что работы Д. Н. Наследова – исследования влияния примесей, электрического поля, света, давления и других факторов на электрические свойства селена, установление существования электронно-дырочного перехода в селеновых выпрямителях и изучение свойств этих переходов – явились фундаментом как последующих научных исследований по селену, так и для развития техники, с представителями которой Д. Н. Наследов поддерживал теснейшие контакты до конца своей жизни. В 1947 г. Дмитрий Николаевич был демобилизован из Советской Армии и назначен на должность заместителя директора ФТИ, которую он занимал до 1957 г. В 1950 г. в Физико-техническом институте Н. А. Горюнова и А.Р. Регель с сотрудниками открыли, что соединения элементов у III и V групп (АIIIВV) Периодической системы – ближайшие бинарные аналоги германия и кремния также являются полупроводниками. Оказалось, что свойства нового класса полупроводников очень перспективны для практического использования. Поэтому они сразу приковали к себе внимание исследований во всем мире. В Физико-техническом институте широкомасштабную работу по выращиванию кристаллов, комплексному изучению физико-химических и физических свойств и созданию приборов на основе полупроводников АIIIВV возглавил Д.Н. Наследов. Уже в 1956 г. в ФТИ была защищена первая диссертация А.Ю. Халилова: «Электрические свойства InSb и InAs». В его лаборатории были разработаны технологии выращивания монокристаллов антимонида индия, арсенида галлия, арсенида индия и твердых растворов арсенида галлия – арсенида индия. При этом чистота кристаллов антимонида индия была наивысшей в мире, а подвижность электронов в них – рекордной. Электрические свойства кристаллов антимонида, арсенида и фосфида индия, а также арсенида галлия исследованы до гелиевых температур. В этих кристаллах были открыты существование примесной зоны, отрицательное магнетосопротивление и непараболичность зоны проводимости, т.е. зависимость эффективной массы электронов от их концентрации. Исследование электрических, оптических, термоэлектрических, термомагнитных, фотомагнитных, фотоэлектрических, люминесцентных свойств кристаллов АIIIВV и электронно-дырочных переходов на их основе не только привели к важным физическим результатам, но и позволили создать фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии с высоким КПД, высокочувствительные приемники излучения для различных областей спектра, туннельные диоды.

Д.Н. Наследов, «Полупроводники», 1959

Работы Д. Н. Наследова по физике полупроводников получили мировое признание. За участие в фундаментальных исследованиях, приведших к созданию полупроводникового квантового генератора, ему в 1964 г. была присуждена Ленинская премия. В 1974 г. он был удостоен звания лауреата Государственной премии СССР. Дмитрий Николаевич был участником и организатором крупнейших международных конгрессов по полупроводникам, членом редколлегии научных журналов, почетным членом Французского физико-химического общества, членом-корреспондентом Академии наук и литературы в Майнце. Д.Н.Наследов был не только выдающимся ученым, организатором науки и создателем школы в области физики полупроводников, но и блестящим лектором и педагогом, автором замечательных учебников, методических пособий и статей. С 1930 г. он преподавал, а с 1937 г. и до последнего дня своей жизни еще и возглавлял кафедру экспериментальной физики Ленинградского политехнического института. Его лекции по физике, широта и смелость научных взглядов, высокий дар научного предвидения оказали решающее влияние на выбор жизненного пути многих великих физиков. Ученики Дмитрия Николаевича работают по всему бывшему Советскому Союзу, возглавляя институты, лаборатории, кафедры, научно-технические разработки в области полупроводников. Научная, педагогическая и общественная деятельность Дмитрия Николаевича получила высокую оценку. Он был награжден орденами Ленина (1953), Красной Звезды (1944) и многими медалями. В 1964 г. ему было присвоено почетное звание «Заслуженный деятель науки и техники РСФСР».

Работы Д. Н. Наследова по физике полупроводников получили мировое признание. За участие в фундаментальных исследованиях, приведших к созданию полупроводникового квантового генератора, ему в 1964 г. была присуждена Ленинская премия. В 1974 г. он был удостоен звания лауреата Государственной премии СССР. Дмитрий Николаевич был участником и организатором крупнейших международных конгрессов по полупроводникам, членом редколлегии научных журналов, почетным членом Французского физико-химического общества, членом-корреспондентом Академии наук и литературы в Майнце. Д.Н.Наследов был не только выдающимся ученым, организатором науки и создателем школы в области физики полупроводников, но и блестящим лектором и педагогом, автором замечательных учебников, методических пособий и статей. С 1930 г. он преподавал, а с 1937 г. и до последнего дня своей жизни еще и возглавлял кафедру экспериментальной физики Ленинградского политехнического института. Его лекции по физике, широта и смелость научных взглядов, высокий дар научного предвидения оказали решающее влияние на выбор жизненного пути многих великих физиков. Ученики Дмитрия Николаевича работают по всему бывшему Советскому Союзу, возглавляя институты, лаборатории, кафедры, научно-технические разработки в области полупроводников. Научная, педагогическая и общественная деятельность Дмитрия Николаевича получила высокую оценку. Он был награжден орденами Ленина (1953), Красной Звезды (1944) и многими медалями. В 1964 г. ему было присвоено почетное звание «Заслуженный деятель науки и техники РСФСР».

Умер Дмитрий Николаевич 8 января 1975 г. скоропостижно, от ишемической болезни сердца. В истории физики он оставил глубокий след как один из создателей современной физики и техники полупроводников, а в памяти учеников как мудрый и заботливый учитель.