N | Автор(ы) СПбПУ | Авторский коллектив | Название статьи | Источник/ссылка | Индекс Scopus |
---|---|---|---|---|---|
1 | Козловский В.В. | А.А. Лебедев, В.В. Козловский, М.Е. Левинштейн, Д.А. Малевский, Г.А. Оганесян | Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4H -SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур |
Физика и техника полупроводников, 2023, том 57, вып. 1 |