Руководитель группы:
доктор физико-математических наук, профессор

Виталий Васильевич Козловский

Направления деятельности

Основные работы группы посвящены вопросам радиационной физики полупроводников. Руководителем группы создано новое направление - радиационное модифицирование полупроводниковых материалов под действием заряженных частиц. За последние годы группой,  совместно с сотрудниками ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН, выполнен большой цикл экспериментальных исследований трех  направлений радиационного модифицирования полупроводниковых материалов с использованием заряженных частиц (радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и трансмутационное легирование) и разработаны теоретические модели ряда радиационно-стимулированных эффектов. Этот цикл исследований получил широкое признание и был опубликован в монографиях, вышедших на русском и английском языках:
1. В.В.Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов. Санкт-Петербург, «Наука», 2003. 268 с. ISBN 5-02-024988-2.
 2. V.Kozlovski, V.Abrosimova. Radiation Defect Engineering. «World Scientific», 2005. 253 p. ISBN 981-256-521-3.

Научные достижения последних лет

Основным практическим результатом работ группы является разработка новых способов радиационного легирования материалов, обоснование перспектив их применения для серийного изготовления и улучшения характеристик  высоковольтных, СВЧ и оптоэлектронных приборов.

Научный приоритет подтвержден высоким индексом цитирования (РИНЦ более 2500 ссылок), получением ряда российских Грантов и защитой нескольких кандидатских диссертаций (Румянцев Д.С., Емцев К.В., Якименко А.Н.).

За последние три года (2022-2024) группой опубликовано 16 статей в журналах, индексируемых международными базами данных.